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5的量子糾錯(cuò)及單比特邏輯門(mén)操作，或者顏色碼方案完成碼距≥3的量子糾錯(cuò)及單比特邏輯門(mén)操作。

（三）抗量子計(jì)算密碼通用芯片架構(gòu)

揭榜任務(wù)：圍繞抗量子計(jì)算密碼中算法特性、數(shù)據(jù)處理邏輯、側(cè)信道攻擊防護(hù)等需求，研究基于格/模格上的容錯(cuò)學(xué)習(xí)問(wèn)題和容錯(cuò)學(xué)習(xí)加密算法的側(cè)信道攻擊防護(hù)技術(shù)，突破共性高效運(yùn)算模塊等抗量子計(jì)算密碼底層關(guān)鍵技術(shù)。完成適用于抗量子計(jì)算密碼范式的格/模格密碼通用芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)。

預(yù)期目標(biāo)：到2026年，突破基于自主可控IP的抗量子密碼芯片關(guān)鍵技術(shù)，原型芯片實(shí)現(xiàn)40nm及以下工藝平臺(tái)驗(yàn)證；支持格、哈希、編碼、同源等主流抗量子計(jì)算密碼路徑基礎(chǔ)運(yùn)算，可通過(guò)軟件算法庫(kù)與硬件原型芯片的協(xié)同實(shí)現(xiàn)10種以上抗量子密碼算法的構(gòu)造，簽名性能不低于200次/秒。

二、重點(diǎn)產(chǎn)品

（一）大冷量稀釋制冷機(jī)

揭榜任務(wù)：面向大規(guī)模超導(dǎo)量子計(jì)算對(duì)更大冷量、更大空間稀釋制冷機(jī)的迫切需求，攻克稀釋制冷機(jī)脈管制冷、熱開(kāi)關(guān)、極低溫?zé)Y(jié)換熱、恒溫器、氣體處理系統(tǒng)、測(cè)控系統(tǒng)、器件有效互聯(lián)及高效率熱交換等技術(shù)難點(diǎn)，研制下一代大冷量、大功率、可互聯(lián)稀釋制冷機(jī)，提供保障數(shù)百到上千比特超導(dǎo)量子芯片運(yùn)行的極低溫環(huán)境。

預(yù)期目標(biāo)：到2026年，研制滿(mǎn)足容納超過(guò)1000量子比特的大冷量、可互聯(lián)稀釋制冷機(jī)，可裝載線纜數(shù)≥4000條，混合室冷盤(pán)面積≥1.6㎡；穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)空載最低溫≤12mk，空載100mk制冷功率≥3000μW；多臺(tái)設(shè)備互聯(lián)門(mén)接口溫區(qū)從mK級(jí)到300K全覆蓋。

（二）可編程光量子處理芯片

揭榜任務(wù)：面向?qū)嵱没饬孔佑?jì)算的大規(guī)模擴(kuò)展需求，研究能解決具體實(shí)際問(wèn)題的專(zhuān)用及通用光量子芯片。開(kāi)展大規(guī)模片上綜合集成技術(shù)研究，基于鈮酸鋰基、硅基、III-V族、氮化硅等多種非線性量子材料體系，研發(fā)混合異質(zhì)集成、高效頻率轉(zhuǎn)換、低損耗傳輸、高速信號(hào)讀取、器件干擾隔離等關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)芯片上高速光量子態(tài)調(diào)控和超低時(shí)間抖動(dòng)單光子探測(cè)。

預(yù)期目標(biāo)：到2026年，實(shí)現(xiàn)兩種或兩種以上材料的異質(zhì)集成。制備出高性能器件單元，單端耦合損耗≤2dB，片上干涉儀消光比≥30dB，調(diào)制速率≥10GHz。實(shí)現(xiàn)多種結(jié)構(gòu)的單光子以及多光子制備操縱單元，集成器件數(shù)≥30，單比特門(mén)保真度≥0.95，兩比特門(mén)保真度≥0.9。

（三）多體系算力量子操作系統(tǒng)

揭榜任務(wù)：面向多體系量子計(jì)算機(jī)融合計(jì)算需求，研發(fā)適配多技術(shù)路線的量子操作系統(tǒng)。研發(fā)量子異構(gòu)算力資源管理系統(tǒng)、基于量子計(jì)算任務(wù)特征驅(qū)動(dòng)的量子異構(gòu)算力調(diào)度系統(tǒng)、含噪聲的中型量子計(jì)算任務(wù)高效編譯與執(zhí)行系統(tǒng)、面向量子異構(gòu)算力的分布式量子計(jì)算和量子多線程異步并行計(jì)算方法。