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揭榜任務(wù)：面向多類金融風(fēng)險(xiǎn)檢測(cè)及分析的復(fù)雜計(jì)算場(chǎng)景，研究基于量子計(jì)算架構(gòu)的金融風(fēng)險(xiǎn)分析控制新范式，研發(fā)風(fēng)險(xiǎn)模型相關(guān)的量子機(jī)器學(xué)習(xí)、隨機(jī)模擬、組合優(yōu)化、圖計(jì)算等算法，突破金融風(fēng)險(xiǎn)算力瓶頸，完成理論優(yōu)勢(shì)論證及端到端資源分析，實(shí)現(xiàn)真機(jī)部署上線。

預(yù)期目標(biāo)：到2026年，研發(fā)量子金融專用算法及量子啟發(fā)式算法不少于5種，實(shí)現(xiàn)典型風(fēng)控應(yīng)用5種以上，提出不少于5種相比傳統(tǒng)算法具有多項(xiàng)式級(jí)復(fù)雜度加速功能的算法，并實(shí)現(xiàn)理論證明。基于金融機(jī)構(gòu)真實(shí)場(chǎng)景數(shù)據(jù)在硬件上部署驗(yàn)證不少于3種。

附件2

原子級(jí)制造揭榜掛帥任務(wù)榜單

一、核心基礎(chǔ)

（一）原子層沉積工藝仿真平臺(tái)

揭榜任務(wù)：原子層沉積是能源、化工和高端電子器件領(lǐng)域的關(guān)鍵核心工藝。當(dāng)前新工藝摸索周期長成本高，材料生長質(zhì)量難以控制。因此需發(fā)展高精度仿真技術(shù)，耦合各原子尺度與介觀尺度仿真方法，模擬真實(shí)生長/刻蝕過程中前驅(qū)體分子與基底的反應(yīng)過程，沉積/刻蝕過程及后退火過程。通過仿真研究不同前驅(qū)體、反應(yīng)溫度和壓力等工藝參數(shù)對(duì)薄膜沉積質(zhì)量的影響，優(yōu)化工藝參數(shù)。利用仿真結(jié)果預(yù)測(cè)沉積薄膜的結(jié)構(gòu)、電子性質(zhì)和機(jī)械性能，為新工藝探索提供指導(dǎo)。

預(yù)期目標(biāo)：到2026年，面向Si/SiO₂等襯底的高介電常數(shù)氧化物的原子級(jí)沉積，如Hf(Zr)O₂，Al₂O₃，開發(fā)ALD仿真平臺(tái)，包含吸附、脫附模塊，材料生長模塊，薄膜質(zhì)量評(píng)估模塊等。平臺(tái)能夠?qū)崿F(xiàn)10nm厚10萬原子秒級(jí)時(shí)間材料生長模擬，模擬的關(guān)鍵工藝參數(shù)不少于3個(gè)。對(duì)ALD生長速度的計(jì)算準(zhǔn)確度達(dá)到90%以上，大深寬比（10:1）沉積的臺(tái)階覆蓋度預(yù)測(cè)準(zhǔn)確度達(dá)到90%以上。

（二）異質(zhì)多晶材料的原子級(jí)平坦化工藝研究

揭榜任務(wù)：面向微電子元器件異質(zhì)互連結(jié)構(gòu)、多晶材料等的原子級(jí)精度制造需求，建立能量限域調(diào)控作用下異質(zhì)、多晶材料表面原子級(jí)拋光和亞表面損傷層控制技術(shù)，發(fā)展原子尺度制造過程的原位動(dòng)態(tài)表征方法，形成宏觀尺度互連異質(zhì)表面原子層去除一致控制的拋光工藝、技術(shù)與裝備，實(shí)現(xiàn)4英寸及以上尺寸的典型材料原子級(jí)拋光和亞表面近零損傷控制。

考核指標(biāo)：到2026年，實(shí)現(xiàn)4英寸及以上尺寸的典型材料表面原子級(jí)精度及亞表面近零損傷制造與原位動(dòng)態(tài)表征，針對(duì)典型異質(zhì)、多晶材料的原子級(jí)拋光，實(shí)現(xiàn)表面粗糙度Ra小于2?，亞表面損傷層≤20層原子，單次制造幅面10×10μm內(nèi)面形精度優(yōu)于10?，原位動(dòng)態(tài)觀測(cè)與表征的空間分辨率優(yōu)于1?。

（三）面向原子級(jí)對(duì)準(zhǔn)的原子層沉積工藝研究

揭榜任務(wù)：面向先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)制造套刻誤差比重增大、可靠性下降問題，發(fā)展表面區(qū)域選擇性鈍化與活化改性的選區(qū)沉積技術(shù)，突破非生長區(qū)表面形核缺陷選擇性去除技術(shù)，形成先進(jìn)互連介電層表面電介質(zhì)材料高可靠性、精簡步驟選區(qū)沉積工藝與技術(shù)。